在現代電力電子系統中，青銅驅動器碳化硅MOSFET和IGBT是劍技核心功率器件。其中，術推碳化硅具備高效率、出雙高開關頻率及高溫耐受性等特性，通道IGBT技術成熟且性價比高，青銅驅動器兩者協同推動著系統性能的劍技提升。
然而，術推要充分發揮這些功率器件的出雙潛力，搭配高效、通道可靠且兼具靈活性的青銅驅動器驅動電路至關重要，市場對功率半導體驅動方案的劍技要求持續攀升，不僅需要極高的術推系統可靠性以保證長期穩定運行，更需在保證性能的出雙前提下，具備較高的通道性價比。同時，驅動方案還需解決不同器件（如碳化硅與IGBT）及復雜拓撲（如三電平）的多樣化驅動需求。
青銅劍技術針對以上應用需求設計推出了2xD0210T12x0驅動器，該方案搭載核心芯片BTD5350（基本半導體驅動芯片）以及BTP1521（基本半導體正激電源芯片），可滿足IGBT與碳化硅MOSFET的兼容使用需求，且具有電源欠壓保護、米勒鉗位、過溫保護等功能，CMTI高達150kV/μs。
應用領域
//中大功率電源/APF/SVG/PCS/電機驅動
核心亮點
//高兼容度
2xD0210T12x0驅動器電源部分搭載正激DCDC開關電源BTP1521芯片，可為驅動器提供高達6W功率，配合LDO驅動可覆蓋15V~30V電源寬輸入。
驅動部分采用單通道隔離驅動芯片BTD5350，可覆蓋5V/15V信號電平輸入，峰值電流10A，配合副邊穩壓電路即可滿足IGBT/碳化硅門極驅動電壓需求。
得益于雙通道分別獨立的產品設計，該驅動可適配多種電平拓撲的應用需求。
//米勒鉗位功能
在橋式電路中，功率器件會發生米勒現象，它是指當一個開關管在開通瞬間，使對管的門極電壓出現非預期的電壓抬升的趨勢。這種現象廣泛存在于功率器件中，包括IGBT、Si MOSFET、碳化硅MOSFET。
對管門極電壓被抬升的高度主要是因為米勒電流的影響，米勒電流主要由橋臂中點du/dt作用于下管的米勒電容引起的，如果不將米勒電流降低或泄放掉，對管門極電壓被抬升的幅值超過開關管的門檻電壓即會造成短路。
米勒鉗位原理是通過一個低阻抗回路泄放掉米勒電流。在IGBT中，因為IGBT的開關速度相較于碳化硅MOSFET要低，且門檻電壓相較于碳化硅MOSFET要高，所以通常不需要此功能。下圖為實際使用BTD5350芯片搭建的驅動，搭配由碳化硅MOSFET組成的橋式電路的有無米勒鉗位功能的對比波形。
0V關斷波形
測試條件：上管VGS=0V/+18V，下管VGS=0V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=200uH；Ta=25℃
-4V關斷波形
測試條件：上管VGS=-4V/+18V，下管VGS=-4V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=20uH；Ta=25℃
訂貨型號
青銅劍技術專注于功率器件驅動器、驅動IC、測試設備的研發、生產、銷售和服務，產品廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業控制等領域。